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绝缘栅双极型晶体管技术特性与市场应用

高品质的衬底材料

• FZ，FZ-like，MCZ衬底
• 薄晶圆的特殊边缘形貌

深沟槽和栅极优化

• Deep Trench蚀刻和rounding优化
• 高可靠性的栅氧化物生长

厚金属工艺

• > 3um金属沉积

背面减薄晶圆处理

• 晶圆背面减薄能力可至 50um
• 晶圆背面压力释放工艺
• 晶圆处理和分类
• 高能量和高剂量离子注入
• 激光热激活(背面离子植入)
• 背面多层金属沉积

绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 击穿电压 600V  至 6500 V，开关切换(switch)性能与低通态特性之间达到最佳匹配，可全面提高系统设计能效。

IGBT 600-1750V应用

• 低到中速（软开关）

充电器，储能，太阳能逆变器，UPS，焊接

• 中速（〜10至40KHz）

家电，半桥谐振，电机控制，感应烹饪，太阳能逆变器，Microwave，UPS，多功能打印机，单个开关

• 高达100KHz的速度

充电器，储能，PFC，SMP，太阳能，UPS，焊接